OSPI NOR 仿真VIP

XIP

• 就地执行 (XIP)、复位或电源重启后快速启动功能

• 易失性和非易失性寄存器的配置寄存器读写操作
• 配置能力：易失性和非易失性配置寄存器设置，用于改变模型的模式、读取命令的空指令周期、3 字节或 4 字节寻址、输出驱动强度(ODS)、DQS 启用和禁用、ECC 启用和禁用、CRC 启用和禁用、封装启用和禁用、封装尺寸

寻址能力

• 3 字节和 4 字节地址模式，使内存访问超过 128Mb

• 支持读取 (SPI)、快速读取、八输出读取、八 I/O 快速读取、DDR 八输出快速读取和 DDR 八 I/O 快速读取（仅限 DDR 模式）
• 支持burst读取，使用设置burst长度命令，可以为读取命令设置 16 字节、32 字节或 64 字节的封装式burst
• 支持页面编程、4KB 和 32KB 粒度的子扇区擦除、统一粒度的扇区擦除和批量（芯片）擦除命令
• 支持缓冲区写入 (84h)、缓冲区读取 (D4h)、缓冲区到主存储器的页面编程（无内置擦除）、WP 引脚功能（信号与 I/O 引脚共享）、回声 (AAh)、回声反转 (A5h)（Adesto 专用）
• 支持编程、擦除、暂停和恢复操作，支持深度掉电模式
• DDR 中心对齐读取选通 (DCARS)：DQ 由 90 度相位移位的时钟 (sclk2) 而不是实际时钟 (sclk) 驱动
• 可中断的写入缓冲区：写入缓冲区初始 (WRBI)、写入缓冲区继续 (WRCT)、写入缓冲区确认 (WRCF) 和页面缓冲区读取 (RDBUF)
• 时序：支持设备输入和输出时序和变体存储器操作时序（用于编程、擦除、暂停和恢复）

• 基于 PBE 位值，选择的前导码模式将被输入到空指令周期中

• 每个 128KB 扇区的易失性和非易失性锁定和软件写入保护：
• 硬件写入保护：基于非易失性位定义的保护区域大小，上电时提供编程和擦除保护，CRC 可检测原始数据的意外变化

• 分为 2 库或 4 库，每库 0-32Mbit：当一个库中正在进行擦除或编程操作时，另一个库中可以进行读取操作

OTP

• 可读、用户可锁定的 64 字节至 8K 位安全 OTP 存储器在主存储器之外，并通过 PROGRAM OTP 命令永久锁定