Process Proximity Compensation

Cadence^® Process Proximity Compensation (PPC) 可满足各类工艺技术对于准确度、较短的运行时间和灵活的易用性等方面的严苛要求。这是我们的第三代计算光刻解决方案套件，经过生产验证，从大型节点到最先进的工艺，可为每一层提供最佳的蚀刻后 CD 准确度和硅工艺窗口。

不断扩展的系统对光刻设备的功能提出了越来越高的要求，传统的光学效应校正 (OPC) / 分辨率增强技术 (RET) 已经无法满足日益严格的计算光刻要求。您可能需要努力提高精确度和易用性，并加快掩模周期。加上不断增加的研发投资成本和有限的人力资源，OPC 团队面临的挑战是如何提高 OPC 模型的准确度，并使先进技术节点的掩模周期时间与前一代技术节点相差无几。

此时 PPC 就派上了用场，这是一套完整而全面的第三代掩膜图案综合解决方案，专为自动建构校正 OPC 从头开始设计而成，可以加快掩膜周期。

主要功能：

• 经过生产验证，精确的行业领先的光刻、蚀刻和掩模模型
• 基于物理的预测性过程模型 (PPM) 可以严格反转图案化工艺，并为自动建构校正 OPC 提供已获专利的优化技术
• 多区域源优化和源掩膜优化与混合 SRAF 布局解决方案相结合，可最大化给定 DOF 的整个工艺窗口
• GUI 或基于脚本的输入方法为配方创建/优化提供了灵活性
• 对通用硬件上的所有掩膜图案综合和验证步骤进行流水线分布式处理，可最大程度缩短掩膜运行时间，降低光刻成本