库参数提取流程

采用纳米工艺进行设计时——尤其是在先进节点上（28nm 及以下）——需要许多其他的库视图，以便获得高质量的硅晶片，并避免由于不精确的签核分析而重新设计硅晶片。为了管理泄漏功耗，通常要使电池具有较低、典型和高阈值电压（SVT、LVT、HVT 等），每种电压都具有不同的功耗和性能特征。

为了对特定于电路单元的电压变化或温度梯度进行准确建模，在多个电压和多个温度下对每个库进行提取至关重要，从而增加库工艺角的总数。对于最先进的工艺，越来越普遍的做法是提供更多可以选择的单元库，这会以牺牲面积和性能为代价来提高良率。结果，创建和维护所有这些库视图成为设计流程中的主要瓶颈。

Cadence 以 Cadence^® Virtuoso^® Characterization Suite 产品组合为核心，提供一套库参数提取工作流。该套件为基础知识产权 (IP) 的参数提取和验证提供了业内最完整、最强大的解决方案，从标准单元、I/O 和复杂的多位单元，到存储器和混合信号区块，皆不在话下。Cadence 的 InsideView 技术已获得专利，可通过提高库吞吐量并确保 IP 的时序、功耗、噪声和统计覆盖率，来提供与硅晶片更好的关联性。Virtuoso Characterization Suite 与 Cadence Spectre^® Circuit Simulator 相互集成，后者是堪称行业标准的 SPICE 仿真器，由此提供更大的吞吐量和先进节点库所需的准确度。

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