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Q4 2010    
编者寄语

告别“十一五”,展望“十二五”。迈入十二月,中国半导体行业即将迎来又一个充满机遇和挑战的一年。一年一度的行业盛会——“2010 中国半导体行业协会集成电路设计分会年会暨物联网与IC 设计高峰论坛”于12 月1日在无锡如期举行。受大会组委会邀请,Cadence公司资深副总裁兼首席营销官约翰•布鲁格曼先生作为嘉宾在上午的高峰论坛上做了主题演讲,为来自全国产业链各厂商的数百位业内精英诠释了“EDA的新愿景—EDA360,一场正在进行的变革”。以全新的视角分析了EDA行业的市场状况、行业为来的发展方向和必须具备的能力。而在12月2日的专题论坛中,Cadence公司技术经理张立伟先生的“运用来自Cadence的最佳UVM技术验证您的复杂SoC“ 以及Cadence公司全球服务部门资深业务拓展经理白亦先生题为“EDA设计服务帮助客户获得突破性成果”的演讲则为大会带来最新技术、解决方案以及服务的信息,获得与听众的良好反响。

 
新闻速递
Cadence揭开整体式硅实现方法的面纱»
Cadence以统一设计意图、设计提取和设计收敛为重点,开拓出一条不同于业界传统修补式硅实现方法的道路
Cadence和Xilinx推出FPGA IP生态系统微网站»
作为ChipEstimate.com的一部分,该网站允许用户搜索和学习有关面向 Xilinx 可编程平台的IP,为用户提供方便和效率
Cadence 为新的ARM Cortex-A15 MPCore 处理器提供 优化的Silicon Realization实现方法学»
与ARM的先期约定使得Cadence 能够为双方的客户设计Cortex-A15 MPCore-Based SoC提供立刻访问优化的实现流程
     
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成功故事
中芯国际将采用Cadence公司 DFM 和低功耗Silicon Realization技术作为构建其65纳米参考流程 »
中国领先的晶圆厂表示通过Cadence的Silicon Realization技术大幅提高了生产力    了解详情»

“我们的共同客户将会从Cadence对参考流程4.1的贡献中大大获益,它解决了在65纳米节点上遇到的两个重要问题,设计余量和良率(design margins and yields)。全面应用端到端Cadence Silicon Realization流程进行数字设计、验证与实现,结合我们的参考流程,将会让我们的客户达到更高的效率、生产力以及提高芯片的质量,缩短上市时间。”

朱敏——中芯国际设计服务部资深总监
 
中芯国际在65-40纳米设计中采用Cadence硅实现端对端产品线 »
设计、验证和实现技术的整合提高了先进节点、低功耗设计的效率    了解详情»
“多年来我们在尖端设计方面一直同Cadence保持合作,而现在我们决定采用一个完整的端对端解决方案,帮我们的客户达到更高品质的设计。双方在65纳米及以下的合作将为我们共同的客户带来诸多益处,从而有助于加速客户对先进工艺技术的采用。”
季克非先生——中芯国际商务长
 
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热点追踪
Cadence推出了一种新的整体式硅实现方法,推动芯片开发超越使用点工具进行的修补方式,转向一种流线化的、端对端式、综合了技术、工具和方法学的方式。 和半导体和系统企业传统上在达到硅实现过程中所采用的谨慎的、条块分割式方法相比,这种方法是一种重大突破。硅实现这一术语是指将设计变为硅片所需要的所有步骤,它是EDA360行动的重要组成部分。
Cadence®这种新的方法着力提供满足三个方面要求的产品和技术,以获得决定性的硅实现道路,这三个方面是: 统一的设计意图、设计抽取和设计收敛。 目前芯片和系统制造商所面临的最大技术和商务挑战是:混合信号、低功耗、十亿门/十亿赫兹、验证、SiP和协同设计、整体效率和指标。满足了以上三项要求的设计,能为这些制造商带来明显和可量化的效率、可预测性及盈利能力的提升... 了解详细技术信息,点击此处下载Silicon Realization 白皮书